• Печать

Коэффициент усиления транзистора

Коэффициент усиления транзистора (по току, мощности или напряжению) – отношение изменения соответствующего показателя в цепи коллектора и в цепи базы.

Коэффициент усиления транзистора по току

Для схем с общей базой этот коэффициент обозначается буквой α (hfБ или h21Б), с общим эмиттером буквой β (hfЭ или h21Э).

Коэффициент усиления по току (или, как еще указывается в литературе, коэффициент передачи тока) в первом случае (α) есть отношение силы тока в коллекторе (Iк) к силе тока эмиттера (Iэ) при неизменном напряжении в части коллектор-база:

α = IК / IЭ, при UК-Б = const

Коэффициент усиления по току во втором случае (β) – отношение величины силы тока в коллекторе (Iк) к силе тока в базе (IБ) при неизменном напряжении в переходе коллектор-эмиттер:

β = IК / IБ, при UК-Э = const

На показатель влияет не только входной ток, но и температура.

Коэффициент усиления транзистора по напряжению

Данный коэффициент вычисляется по формуле

KU = U2 / U1,

где U2 - изменение напряжения на выходе, а U1 - изменение напряжения на входе.

Коэффициент усиления триода по мощности

Это величина отношения выходной мощности (P2) к мощности, подаваемой на вход триода (P1):

КР = Р2 / Р1

Коэффициент усиления транзистора по мощности можно также определить произведением коэффициента усиления по току (КI) и коэффициента усиления по напряжению (KU):

КР = КI * KU

Транзистор: устройство и принцип работы

Биполярный транзистор – транзистор, использующийся для преобразования электрических сигналов, в котором для работы применяются 2 типа носителей заряда (электроны и дырки). Функция триода – регуляция потока заряженных частиц.

Часть транзистора, испускающая электроны, называется эмиттером Э. Вторая противоположная часть, которая собирает носители зарядов, – коллектором К. Между ними расположено основание или база Б. Соответственно, имеется три вывода. У биполярных триодов через прибор идут два тока – основной "большой" и управляющий "маленький".

Транзисторы с электронной проводимостью среднего слоя имеют название р-n-р транзисторы, с дырочной проводимостью – n-р-n. У первого типа транзисторов полярность включения источников обратная.

Принцип работы биполярного транзистора подробно описан на сайте hightolow.ru.